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  Intel在去年12月的“架構日”活動上公佈了名為“Foveros”的全新3D封裝技術,該技術首次引入了3D堆疊的優勢,可實現在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片,當時Intel展出使用該技術製造的Hybrid x86 CPU,也公佈了一些規格細節。老對手AMD當然也不甘落後,AMD在最近的活動中透露,他們正致力於在其處理器之上使用3D堆疊DRAM和SRAM的新設計來提高性能。

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  AMD高級副總裁Norrod最近在Rice Oil and Gas HPC會議上發表講話,並透露該公司正在進行自己的3D堆疊技術,角度與英特爾的略有不同。此前AMD已經將HBM2內存堆疊在其GPU核心旁邊,這意味著它與處理器位於同一個封裝中,但該公司計劃在不久的將來轉向真正的3D堆疊。Norrod解釋說,AMD正致力於在CPU和GPU之上直接堆疊SRAM和DRAM內存,以提供更高的帶寬和性能。

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  其實顯然這種創新已經成為必然的選擇,因為摩爾定律已經失效,多年來業界一直在追求提升半導體工藝不斷降低線寬,但是線寬的微縮總是有一個極限的,到了某種程度,就沒有經濟效應,因為難度太大了。Norrod在會議中也說到,該行業正在達到集成電路微縮的極限。即使是像Threadripper處理器這樣的多芯片設計,由於處理器封裝的尺寸已經非常龐大,也會遇到空間限制的阻礙。

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  與許多半導體公司一樣,AMD已經調整了應對這新困難的戰略,同時也步入下一個新的浪潮:3D堆疊芯片技術。不過由於熱量和功率輸送限制,該方法也帶來了挑戰。Norrod沒有深入探討正在開發的任何設計的具體細節,但這很可能是AMD處理器設計的一個歷史轉淚點。

參考資料一 

參考資料二

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