在過幾多 NAND FLASH 的技術不斷急速發展，將更多的Cells整及在同一包裝內以實現更大的儲存容量，同時並擁有低功耗及更高的性能，Toshiba 繼去年 9 月宣佈96 層 BiCS FLASH 樣品已出貨後，最新再公人佈與其戰略合作夥伴Western Digital幾乎完成了最新的迭代：128層3D NAND，並稱之為「BiCS-5」，預計最快可於2020 - 2021年實現商業化生產。
在一年前，NAND FLASH產品已經來到48層及64層堆疊技術，到 2019 年更會有 96 層堆疊的產品開始量產，至於下一代的 128 層堆疊亦準備要來，Toshiba與Western Digital合作正在積極開發「BiCS-5」NAND Flash，相比 96 層的「BiCS-4」，新技術額外多出的32層，能夠輕鬆將容量提升 1/3，並可大幅降低製造同等容量終端產品的成本。
據了解，全新的「BiCS-5」NAND Flash邏輯電路層在晶片的底部，而數據層則堆疊在上方，採用了陣列下電路（CuA）設計與非CuA技術相比可把晶片尺寸縮小15%。消息指全新的128層堆疊 3D NAND 採用了TLC設計，儲存密度接近96層堆疊的3D QLC，與96 層的BiCS-4 相比，BiCS-5 可讓模具總體縮小23%，密度亦相較96層堆疊3D TLC提升了29.8%。
BiCS-5晶片採用4平面設計，模組分為四個平面或部分，允許獨立或併行訪問，寫入性能從 66 MB/s 增加到 132MB/s，將這部分空間釋放之後，Toshiba將能夠利用四平面 (相較於傳統的雙平面 ) 將顆粒性能提升兩倍。
有趣的是，儘管空間密度很大，但 Toshiba 全新的 128 層堆疊 3D NAND 採用的為 TLC 設計，而不是更新的 QLC，這可能是由於 NAND Flash 製造商的 QLC 晶片良率的依然偏低，不得不用上較舊的 TLC 設計。
Toshiba 表示，預計全新 BiCS-5 NAND 明年將可批量生產，有望採用新 128 層 BiCS-5 NAND 的產品在 2021 年正式推出市場。
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