John pan

影片說氮化鎵(GaN)充電，在快速充電應用與技術發展和未來趨勢，半導體材料的轉變對產業影響。

  半導體材料包括矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)等，氮化鎵擁有高工作頻率、耐高溫，適用於充電、5G基地台、航空通訊等。碳化矽耐高溫、高電壓下穩定，適用於電動車快充。

  氮化鎵充電頭又小又快，主要它工作在高頻高電壓下，矽在高頻高電壓表現差，它也有低電阻和高熱傳導，突破工作頻率是材料優化與製程改良。對材料結構和成分調整，提高電性與工作頻率極限，讓它在快充中發揮作用。

  iPhone 15改用Type-C充電接口，充電線材競爭要劃下句點，Type-C普及化代表充電承受電流上限提高。不少手機充電支援50瓦以上功率，Realme推出GT Neo5擁有240瓦超快充。充電頭功率提升、體積縮小，利用電感提升充電功率，高頻變壓器充電頭提升功率、減少電感大小，高頻變壓器將市電頻率提升到50,000Hz。快充頭發展各家廠商推出不同快充協議，氮化鎵與碳化矽加入快速充電滿足市場需求。

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