John pan

  兩大韓系NAND廠三星及SK-Hynix在早前都公佈了新NAND Flash的發展，SK-Hynix宣內成功研發並批量生產128層堆疊的4D NAND Flash，而三星則推出136層堆疊的第六代V-NAND Flash，不過NAND Flash堆疊仍未達極限，SK-Hynix公佈了公司的規劃路線圖，預計在2030年將會推出800+層的NAND Flash，到時可輕鬆打造出100 -200TB容量的SSD。

  正在舉行的Flash Memory Summit大會上，SK-Hynix公佈旗下新產品及公司未來計劃，目前SK-Hynix正在開發128層堆疊的4D NAND Flash，其量產將於今年第四季度開始。

  在會上SK-Hynix亦展示了一款「PE8030」的全新SSD，採用PCIe 4.0x4介面連接，提供了800GB，1600GB，3200GB，6400GB容量，連續讀寫速度最高可達6200MB / s，3300MB / s ，4KB隨機讀寫最高可達950K IOPS，260K IOPS。

在研發進程方面，目前SK-Hynix正在開發176層NAND Flash，至於後續的發展呢？SK-Hynix公佈了他們的NAND Flash路線圖，具體如下：

·V4 72層堆疊：目前大規模量產中

·V5 96層堆疊：目前也在大規模量產中，產能即將超越V4

·V6 128層堆疊：2019年Q4季度即將規模量產

·V7 176層堆疊：2020年問世

·500層堆疊：2025年問世，TB /晶圓容量比提升30％

·800+堆疊：2030年問世，TB /晶圓容量比提升到100-200TB

  目前SK-Hynix生產的128層堆疊NAND Flash核心容量是1Tbit，176層堆棧時核心容量1.38Tbit，預計500層堆疊時核心容量可達3.9Tbit，到800層堆疊時則會高達6.25Tbit，是現在的6倍多。

  當前SSD硬盤最大容量在15-16TB左右，按照6倍核心容量的增長來算，未來SSD容量可達200TB左右，這個容量要比HDD還要高!!

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