John pan

  韓系海力士宣布開發出業界最高帶寬的HBM2E DRAM產品。與之前的HBM2相比，新款HBM2E大約提升50％帶寬和100％容量。

  海力士的HBM2E記憶體，其每個針腳傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位寬，支援提供超過460GB/s的超高帶寬。同時，透過利用TSV（矽通孔）技術，最多可垂直堆疊8個16千兆位晶片，形成16GB數據容量的單個密集封裝。

  SK Hynix 的 HBM2E 可支援需要最高記憶體效能的高階 GPU、超級電腦、機器學習和人工智慧系統等各種尖端領域。與採用模組封裝形式並安裝在系統板上的傳統 DRAM 產品不同，HBM 晶片可以與 GPU 和邏輯晶片等處理器緊密互連，間距僅為幾微米，可實現更快的數據傳輸。

  Samsung 在三月份也發布了自家的 HBM2E 記憶體，將傳輸速率從2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度達到33%。同時每晶片的容量提升了兩倍，達到16GB。同樣，尚未可知工作電壓和量產時間。

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