John pan

 中芯是中國領導欽點負責人用中國資金、資源， 中芯負責人在指示期限內做出來榮華富貴享受不盡，但若要做不出來或拖延沒預定成果...要砍頭的

  隨美中關係變化，也讓中國意識到加速自主研發晶片的重要性，因此近年國內企業越來越重視自主研發，並希望技術可以用來將「中國製造」變成「中國創造」，中共不惜斥巨資發展半導體產業，企圖到 2025 年時，可以自製 70% 半導體產品。作為國內最大和技術最先進的代工廠之一的「中芯國際」，一直在用行動向世界證明了自己，最新有知情人士獲得的消息，中芯國際已經啟動了 14nm FinFET 工藝晶片的量產，且計劃年底前進行 12nm FinFET 的風險試產，表明「工藝水平跟 Intel 的 14nm 是同一代」。

  中芯國際（SMIC）在日前公佈了今年第三季度財報，數據顯示當季中芯國際總營收雖較去年同期略有下降為 8.165 億美元，但淨利潤卻上漲至 8462.6 萬美元，較去年同期增長 1014.8%，對此該公司給出的原因是“客戶庫存消化、產能利用率提高以及先進光罩銷售增加。”

  中芯國際在財報中首次透露其第一代 14nm FinFET 生產線已實現量產，並且會對第四季度營收做出有意義的貢獻，不過之前他們表示大規模出貨要到 2021 年。除了量產 14nm FinFET 晶片，目前公司亦正穩步推進第二代 FinFET 的研發，未來該工藝將應用於處理器、車用電子以及人工智能領域。

  第二代 FinFET 工藝應該是改進型的 12nm 工藝，相比 14nm 晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低 20%、性能提升 10%，錯誤率降低 20%，現在是客戶導入，年底會進行風險試產。

  按照中芯國際所說的進展，那麼國內今年底、最晚明年就會有 12nm 晶片進入生產，這個工藝水平跟 Intel 的 14nm 是同一代的了，與國際最先進水平也只有一、兩代的差距。

  除此之外，中芯國際在今年從全球最先進的半導體生產設備商 ASML 中購入了一台價值 1.2 億美元的 EUV 光刻機，為研發 7nm 工藝作好充分準備，一旦 7nm 工藝研制成功，中芯國際與 Samsung 及台積電的差距也將越來越少。

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