John pan

台積電第一代3nm工藝先不上GAA晶體管將繼續用FinFET技術

  盡管三星緊追在後，但台積電今年上半年就要開始量產5nm工藝了，今年內蘋果、華為A14及麒麟1020晶片訂單已經在手了。

  再下個製程就是3nm工藝了，這個製程很重要，因為摩爾定律一直在放緩，FinFET晶體管一度被認為只能延續到5nm製程，3nm要換全新技術了。

  這方面三星將轉向GAA環繞柵極晶體管，據三星官方說基於全新的GAA晶體管結構，三星通過使用奈米片設備製造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋–通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。

具體來說，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

  由於之前在先進工藝上進度落後了，三星在3nm進行了一場豪賭，是第一個大規模上馬GAA技術的，目的就是希望通過激進的手段迅速扭轉晶圓代工市場上的地位，GAA成敗很關鍵。

  相比較下台積電也投資200億美元建3nm晶圓廠，但一直沒有公布3nm技術細節，其技術路線選擇將對未來先進晶片的代工產生重大影響。

  據最新消息，台積電可能沒三星那麼激進，在3nm製程也會跟之前的7nm工藝一樣採兩步走方式，第一代3nm工藝還會繼續改進FinFET晶體管工藝，在第二代3nm或者2nm製程才會升級到GAA晶體管技術。

  這樣做一方面是出於技術研發的考慮，台積電在GAA技術上落後三星12到18個月，另一方面則是要在進度趕超，2021年3月份就準備試產，所以不能急着上GAA工藝，先用FinFET工藝頂上。

台積電在4月份會有一次專門的發布會，屆時會正式公布3nm工藝的技術細節。

來源
謝謝收看