John pan

  主流平台切換到DDR4內存已經有好幾年時間了，最早是Skylake上面增加的支持，不過當時的6代、7代酷睿都保留了對於DDR3的支持，同時也因為當時內存狂漲一波，很多朋友都只能選擇最基礎的DDR4-2133/2400規格，買兩條4GB的組個雙通道湊合用著。而現在內存條價格長期處於低位，高頻內存也不貴了，所以很多玩家朋友會在裝新機的時候選擇一個比較常見的高頻規格，比如DDR4-3200，所以本期課堂就簡單講一講現在市面上常見的超頻能力強的內存顆粒、單面雙面內存的區別、主板內存佈線和彈性雙通道那些事兒。

超頻能力強的DDR4內存顆粒
  當來到DDR4時代之後，DRAM顆粒廠已經只剩下三星、SK海力士和美光這三家了（其他廠也有，比如南亞，不過用的品牌比較少）。內存品牌很多，但其實顆粒就只有那麼幾種，而在高頻內存上面常見的顆粒就更少了。這邊就簡單介紹一下三種在玩家口中超頻能力普遍比較強的高頻DDR4內存條常用顆粒。

三星B-die
  三星B-die指的是三星的以5WB為第一部分型號結尾的內存顆粒，目前大部分都是20nm製程。這類顆粒的特點是高頻狀態下仍然可以壓低時序，體質好的顆粒可以在3600MHz下仍然保持CL16的時序設置，甚至在4000MHz下保持CL19，而且相對比較耐高壓。

  之前三星已經宣布過將停產B-die，但是因為各種因素目前B-die還是在生產，官網上面的產品列表中幾種常見的B-die型號都還在量產狀態。

  而除了採用打開馬甲看顆粒型號、用軟件識別這兩個方法之外，根據B-die的高頻低時序的特點也可以輕鬆將它識別出來，比如DDR4-3600@CL16或者DDR4-3733@CL17 ，都可以直接當成B-die。

SK海力士CJR
  CJR指的是SK海力士出品的以CJR為型號結尾的內存顆粒，其採用了1x nm工藝製程，比B-die要先進一些。其特點是超頻能力可以跟B-die一較高下，但是時序壓不到很低。

  在海力士的MFR停產之後，CJR就成了新的海力士扛把子，隨著該顆粒的大量上市，高頻內存條的價格一路下跌，現在已經可以用很低的價格入手擁有不錯超頻能力的CJR內存條了，堪稱平民法拉利。

  CJR的識別方法也是看顆粒型號，較多單面8GB內存用的都是H5AN8G8NCJR這個顆粒型號，而從時序上並沒有很好的辦法去識別。

美光E-die
  E-die是來自於美光的最新版本顆粒之一，識別方式就是型號末尾的E，不過採用該顆粒的內存條是比較少的，在市場上還不是很多見，而且從目前的消息來看它已經退市了，所以未來可能也碰不到E-die了，雖然在官方的產品目錄裡面，E-Die還仍然處於生產狀態。

圖片來自於TechPowerUp
  而E-die超頻能力強已經被極限玩家驗證過了，今年年中的時候有人基於E-die的內存條打破了內存超頻世界記錄，至少能夠說明這批顆粒的上限是非常高的。

單雙面內存與Rank概念解析
  其實對於CPU和主板來說，內存的單雙面在它們眼裡並沒有區別。通常所說的雙面內存其實是指有一條內存上有2個rank，那麼什麼是rank呢？這要簡單講一下從內存控制器到內存顆粒中涉及到的抽象邏輯概念。

  我們從內存控制器出發，現在的一般桌面級處理器都使用一個雙通道的內存控制器或者說是兩個內存控制器，簡單來說就是有兩條平行、寬度均為64-bit的路可以用來跑去內存存取數據，一條路就是1個channel（通道）。從內存控制器開始沿著兩條通道一路往前，第一個分叉路口是內存插槽，在這裡一般的非低端芯片組主板都會提供4條路，每個通道分成兩條一樣的64 -bit寬度道路通往內存模組（DIMM），一共有4個插槽，就是有4條64-bit寬度的道路通向內存，但並不是每個通道就這麼拓寬成了128-bit，它仍然是64-bit的寬度，在同一時間一個通道中的兩條路只有一條可以用。

  從DIMM再往前走，我們馬上要遇到內存顆粒（chip）了，但是到每個顆粒的路都很窄，最寬也就只有16-bit，而我們每次帶的數據一共有64- bit寬，沒法帶過去了，怎麼辦？這時候就出現了rank的概念，在JEDEC的定義中，一組rank指的是內存模組上一個可以獨立進行64-bit尋址的區域。DIMM的1個rank中包含了多個chip，將到每個chip的窄馬路拼合起來就能夠形成一條滿足寬度要求的馬路，一般現在一個rank由8枚位寬為8-bit的顆粒組成，正好一般內存的一面上可以放8枚顆粒，所以我們通常說的單面內存就泛指為單rank內存了。當然，現在也有4-bit和16-bit的chip，它們就是16顆或是4顆組成一個rank。

  不過要是內存上的顆粒位寬和容量都只有一個固定選項，而我又想組一條大的，怎麼辦？這時候在一條DIMM模組上就可以設計多個rank來擴大容量，比如說現在的16GB DDR4內存很多都是由2個rank組成的。在同一個通道中的不同rank間，讀寫操作並不是同時進行的，它們之間是共享同一組addr/command信號線，由選擇器選擇欲讀取/寫入的那一組。

圖片來自於TeamGroup
  而從chip再往下，還有bank和row、column，不過這三個概念與我們要討論的單雙面內存關聯性不大，故不作進一步介紹。

  通過上面所講的rank和內存顆粒位寬，其實就已經可以知道，單面內存≠單rank內存，雙面內存≠雙rank內存。現在普遍認為多rank比單rank要難超，並且兼容性要稍微差一點，到達同一個高頻率（通常要比4000MHz要高了），多rank需要的電壓要比同樣的單rank內存模組高，而一般情況下，直接把雙面內存當普通內存來用就行了。

主板內存的佈線方式
  而CPU想要訪問內存進行數據存取肯定是要經過物理方式來訪問，這時要經過的就是主板商提前佈置好的電路，不同的主板有不同的走線方式，而不同的走線方式也會是內存超頻時各種影響因素中重要的一個，這裡就簡單對目前常見的三種走線方式進行介紹。

1 DIMM Per Channel
  第一種就是最簡單的每通道只做一根DIMM插槽，這種設計常見於各種ITX規格小板上，因為本身就沒有更多的空間可以用來放置第3和第4個DIMM插槽，所以此時一個通道的走線只對應一個DIMM插槽，沒有什麼花里胡哨的。這種走線方式的電氣性能是最好的，因此，我們也往往能夠看到挑戰內存超頻世界紀錄的都是一些小板。

Daisy Chain
  Daisy Chain可以簡單地理解稱菊花鏈，就是同一個通道中信號先到一條DIMM再到另一條。這種佈線方式非常常見，識別方法也很簡單，有些主板會直接標出DIMM A1和DIMM B1（以下圖為例）是最適合用來超頻的，甚至在沒有將內存插到這倆插槽的時候開機會有提示（微星）。

  在使用Daisy Chain佈線法的主板玩內存超頻的時候千萬記得要將內存插在推薦的插槽中，這樣可以獲得最好的電氣性能以提高最高成績以及穩定性。

T-Topology
  最後一種是比較講究的四根插槽盡量相同的佈線方式，比較像一個T字形，從一端分出去兩邊等距離到插槽。

  這種佈線法相對Daisy Chain來說更注重於所有內存的同步，所有4條內存在T-Topology會獲得相近的電氣性能。簡單來說就是4個插槽潛力差不多，但是單個插槽不如Daisy Chain來的強。

  T-Topology佈線法在高端主板上用的比較多，但是能直接買四根內存插滿的用戶肯定是不如買兩條組雙通道就滿足的用戶多的，所以有些主板商在新的高端主板上又從T-Topology轉回了Daisy Chain。

彈性雙通道
  也有些朋友添購了兩條8GB之後還想繼續和原來的條子一起用，那麼能不能繼續組一個雙通道系統呢？當然可以，現代CPU支持的雙通道是一個有很大彈性的系統。只要兩個通道的容量相同即可組建對稱雙通道模式，此時內存的工作頻率和時延參數都將會被統一到與規格最低的那一條內存相同。

圖片來自於英睿達
  而就算兩個通道容量不相同，也可以打開非對稱雙通道模式，比如說在4GB+8GB的情況下，有4GB+4GB的容量是工作在雙通道模式下的，而另外的4GB將仍然是單通道的情況。

  而如果要確認自己的平台有沒有工作在雙通道模式下，用CPU-Z切換到Memory選項卡中看Channels這個框是不是Dual就可以確認了。

  所以如果對於頻率時延參數不太關心的話，大可放心把新老內存條混著插。但如果是新買了高頻而想和原來的低頻內存一起用，就要自己摸索下內存超頻了。

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