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RTX 3080 Ti工程樣本卡規格曝光，三星8nm工藝、4倍光追性能提升。
關於NVIDIA安培顯卡，媒體新消息傳來，由於台積電滿足不了NVIDIA的預訂產能，今年推出的RTX 30系列顯卡，GPU核心均是三星8nm打造，台積電7nm EUV要到明年上半年就緒，這表示後續升級的RTX 30xx Super有機會換7nm核心。
關於GA102核心RTX工程樣本卡的細節參數，媒體也做出修正，以下是最新：
據說GA102會同時用在RTX 3080 Ti（有人說是3090）和RTX 3080一樣，首次用三風扇散熱設計，新12Pin外接供電接口取代8Pin，基礎頻率2GHz，加速2.2GHz，預射時脈下功耗300瓦左右，5376個CUDA、12GB顯存、18Gbps帶寬，4K繪圖效能提升了40%，較RTX 2080 Ti的IPC有堅實提升，光追性能增加3~4倍，支援DLSS 3.0。
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