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六代3D NAND Flash.PNG 

  在ISSCC 2021中，Western Digital Corporation(WD)宣布與鎧俠（Kioxia）聯手研發出第六代162層3D NAND Flash 。新產品降低了單位成本，並使每個晶圓可製作多70%容量的NAND Flash 。

  第六代 3D NAND Flash 橫向單元陣列密度較第五代 3D NAND Flash 提高了約 10% 。與第五代的 112 層堆疊架構相比，第六代產品進一步提升至 162 層堆疊架構，能夠使晶圓尺寸減小約 40% ，從而降低了成本。第六代 3D NAND Flash 同時亦採用了陣列 CMOS 電路佈局及四路同時工作等新技術，處理性能可望提高近 2.4 倍，讀取延遲減少約 10% ， I/O 性能也提高了約 66% ，十分可觀。雖然廠商已陸續採用第六代 3D NAND Flash 產品，不過市場上的 NVMe SSD 主要仍是使用第四代 3D NAND Flash 。

 


 

 

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