John pan

  近年來在半導體的研發一直是由台積電領先，而稍微比較跟得上的就只有三星了，不過三星的產品卻一直飽受質疑。而在IEEE ISSCC大會上，三星首先展示出採用3nm製程生產的晶片，這是一顆256Mb (32MB) 容量的SRAM存儲晶片，也是新製程量產的第一步。

  在三星的路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新製程，其它皆為升級改進型，包括11、8、6、5、4nm等。這次三星將在 3nm上第一次應用到GAAFET技術，再次實現了電晶體結構的突破，比現時FinFET 3D電晶體而言可算是大進步。

  這次三星的第一顆3nm SRAM晶片採用的是MBCFET，容量為256Mb，面積56 mm2。而最讓三星驕傲的是擁有極低功耗，寫入電壓只需0.23V，這就是受惠於MBCFET多種省電技術。按照三星的說法，3GAE工藝對比於其7LPP工藝，可將電晶體密度增加最多80%，效能提升最多30% 或是功耗降低最多50％。

  也許這終於可讓三星更好地控制晶片功耗、發熱，避免再出現以往為人詬病的問題。目前其3nm預計於明年投入量產，但尚未公佈任何客戶名單。至於台積電方面，3nm製程將繼續沿用FinFET技術，並號稱比5nm電晶體密度增加70%，效能可提升11%或功耗降低27%，預計於今年稍後時間投入試產，並於明年量產。

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