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AMD Zen3+添加3D V-Cache技術讓Ryzen 9 5900X效能提升15%

  AMD 6月1日在Computex 2021大會上,展示了一款經改良過的Ryzen 9 5900X處理器,聲稱加入了全新3D V-Cache垂直堆棧的方式,在原來的CCD晶片上再堆疊了64MB SRAM,作為額外的L3 Cache使用。

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  目前Ryzen 9 5900X 12核處理器是由2顆CCD晶片與1顆IOD晶片組成,每顆CCD擁有64MB SRAM總共128MB L3 Cache,不過AMD對現有Ryzen 9 5900X處理器作改良,CCD晶片中加入3D V-Cache技術,增加了64MB SRAM讓L3 Cache容量進一步增加到192MB。

 

  據了解,AMD 在 CCD 晶片與 SRAM 晶片之間使用了直連銅間結合與 TSB 矽與矽通道技術,實現了混合式 Cache 緩存設計, 展示了這顆 3D V-Cache 的處理器原理,雖然 CCD 微架構與 Ryzen 9 5900X 一樣,但加入 64MB 3D V-Cache 後,遊戲性能平均提升了15%之多。

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  蘇媽在會中表示使用 3D V-Cache 緩存的 Ryzen 處理器將會在今年底上市。由於時間與Zen 3+上市場間吻合,很大機會就是傳說的 Zen3+ 架構Ryzen 6000系列。

 


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