Toshiba Memory 在 Flash Memory Summit 2019 上宣佈推出非揮發性記憶體的 XFMEXPRESS，全新 XFMEXPRESS 是一項針對使用 PCIe 連接的 NVMe 卸除式存放裝置設備的新技術。XFMEXPRESS 技術採用新的外形和創新的插座，提供無與倫比的特性組合，以求革新超薄 PC、物聯網設備和各種嵌入式應用。由於認為需要一種新的卸除式存放裝置類別，Toshiba 記憶體就利用其在單封裝記憶體設計方面的廣泛背景開發了 XFMEXPRESS 技術，獨特設計提供最佳化的功能、穩健性以及專門設計的插座，可提升易用性和散熱效率。
全新 XFMEXPRESS 外觀設計就如一般常規的 SD 卡，尺寸小但性能強大，外觀輕薄(14mm x 18mm x 1.4mm)，面積僅 252mm2 ，可以在不犧牲性能或可維護性的情況下，最佳化超緊湊的主機設備的安裝空間。由於這種最小化的 Z 高度，XFMEXPRESS 外形非常適合輕薄型筆記型電腦，並為下一代應用和系統創造了新的設計可能性。
為了進一步提高SSD容量及密度，三星日前正式宣佈開始生產業內首批100層V-NAND，是基於136層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代V-NAND ( 3bit，也就是 TLC ) 晶片，首款應用全新V NAND Flash的是250GB的SATA 3 SSD產品，預計性能比上代提升10%、功耗降低15%、生產效率提升20%，數據傳輸速度是現時業內最快。
三星表示，100層V-NAND Flash使用“通道孔蝕刻”技術，新的V-NAND顆粒比之前的90+層堆疊結構增加約40%的層數，達到了136 層，同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面，可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其100層 (第 6 代) V-NAND Flash的寫入延遲低至450μs、讀取響應時間為45 μs，與上代90層V-NAND相比，100 層V-NAND不僅性能提升了10%，功耗還降低了15% 。
在日前開幕的2019 FMS國際閃存會議上，群聯公司宣布再推出兩款新一代PCIe 4.0主控——PS5019-E19T、PS5018-E18，與現有的PS5016-E16主控一起擴大PCIe 4.0硬盤陣營，同時降低了PCIe 4.0硬盤的成本，並進一步將性能推向7GB/s的極限。
在台北電腦展上，AMD公司宣布推出7nm銳龍3000系列處理器及X570芯片組，新一代AM4平台不僅提高了性能，還帶來了PCIe 4.0支持，這是首款支持PCIe 4.0規範的桌面平台，這一次AMD領先Intel了。
PCIe 4.0總線的速率達到了16GT/s，總帶寬可以達到32GB/s，這個高的性能不僅顯卡受益，SSD硬盤性能也可以突破目前PCIe 3.0 x4通道最高4GB/s的限制了。
兩大韓系NAND廠三星及SK-Hynix在早前都公佈了新NAND Flash的發展，SK-Hynix宣內成功研發並批量生產128層堆疊的4D NAND Flash，而三星則推出136層堆疊的第六代V-NAND Flash，不過NAND Flash堆疊仍未達極限，SK-Hynix公佈了公司的規劃路線圖，預計在2030年將會推出800+層的NAND Flash，到時可輕鬆打造出100 -200TB容量的SSD。
正在舉行的Flash Memory Summit大會上，SK-Hynix公佈旗下新產品及公司未來計劃，目前SK-Hynix正在開發128層堆疊的4D NAND Flash，其量產將於今年第四季度開始。
在會上SK-Hynix亦展示了一款「PE8030」的全新SSD，採用PCIe 4.0x4介面連接，提供了800GB，1600GB，3200GB，6400GB容量，連續讀寫速度最高可達6200MB / s，3300MB / s ，4KB隨機讀寫最高可達950K IOPS，260K IOPS。
在研發進程方面，目前SK-Hynix正在開發176層NAND Flash，至於後續的發展呢？SK-Hynix公佈了他們的NAND Flash路線圖，具體如下：
目前已知提高3D NAND閃存容量的方法主要是提高推疊層數和提高閃存容量、降低成本，就前者而言，今年有多家NAND公司已經開始量產96層推疊的3D閃存，而且最近三星還發布了136層推疊、256Gb（32GB）的第六代V-NAND TLC閃存，其他廠商應該也會跟進推疊層數，推出更新的產品。
另一個提高閃存容量、降低成本的方式主要是通過提高閃存cell單元的bit位元，所以在產品類別上有SLC、MLC、TLC和QLC閃存顆粒之分，它們每個單元分別可儲存1bit、2bit、3bit、4bit位元，主控則需控制2組、4組、8組、16組不同的電壓，結構越來越複雜，寫入性能和可靠性也在下降。
QLC閃存自問世以來，就很快的進入存儲裝置市場，而且產品的性能指標也很好，不過大部分消費QLC閃存的評價並不高，主要是沒有SLC快取和DRAM快取來提高性能，導致QLC閃存的原始寫入性能甚至連機械硬碟都不如；此外壽命也是一個大問題，目前主流的TLC固態硬碟能夠在常規使用下保持10年以上的壽命，而QLC的壽命就比較沒保障了，當然QLC的儲存容量夠大也能幫助改善壽命不夠長的問題。
而除了QLC閃存，壽命更短的PLC閃存也即將到來。在最近的2019 FMS國際閃存會議上，東芝以及WD就已經開始討論PLC閃存（Penta-level Cell簡稱PLC ），雖然還沒有表明實際的規格和性能，但應該會比QLC性能更差，更不耐用，不過以後固態硬碟的價格應該和容量也終於有機會跟上機械式硬碟了。
東芝發佈全新的「XL-Flash」產品，「XL-Flash」NAND技術採用了超低延遲的3D SLC，傳輸速度介乎於DRAM及 NAND Flash之間，更高速度及更低延遲值同時更大容量成本亦相對較低。
「XL-Flash」是基於東芝創新的BiCS FLASH 3D NAND Flash技術，單顆裸片為128Gb（16GB），支援2 Die、4 Die、8 Die封裝，「XL-Flash」3D SLC NAND可以打造成32GB、64GB及128GB的SSD固態硬碟，可能你會覺得容量不夠，不過SLC產品的容量一般都不會很大，這亦是因為SLC顆粒性質決定。
最近三星官方宣布開始生產第六代256Gb 3bit NAND顆粒的250GB SATA SSD。不過目前新顆粒SSD只向OEM出貨，消費市場還要一段時間才有。
三星電子解決方案產品與開發執行副總裁Kye Hyun Kyung 表示，“隨著下一代 V-NAND 產品有著更快開發週期，我們計劃快速擴展我們的高速大容量512Gb V-NAND解決方案的市場”。
時間表證明，三星從第五代推進到第六代所花費的比第四代升級到第五代減少四個月時間，他們確實在快速推進高堆疊層數的 V-NAND 生產。三星表示第六代100+層的 V-NAND 的寫入速度在450微秒，讀取速度為45微妙，效能比上代提升了10%，功耗節約15%，整體產量會上升20%。繼今天宣布的新款 250GB SSD 之後，今年下半年三星還計劃提供基於512Gb大小的3-bit V-NAND SSD和eUFS快閃記憶體。
NVM Express在日前正式發佈了NVM Express( NVMe ) 1.4 規範，該規範提供了更快、更簡單、更容易擴展的技術， 並進一步完善了 NVMe 技術，NVMe 1.4 緩衝區的新特性降低了延遲和 SSD 設計的複雜性。
NVM Express Inc. 是一家擁有 100 多名成員的非營利組織，專注於通過基於標準的方法實現高性能和低延遲非易失性記憶體儲存的廣泛生態系統採用。該組織提供了一個開放的 NVMe 規範和訊息集合，以充分展示從移動到數據中心的各種計算環境中非易失性記憶體的優點。
最新發佈的 NVMe 1.4 版本中中增加的最重要的一個內容就是「IO determinism」，「IO determinism」 主要包含兩部分，一個是 NVM Sets，而另一個是 PLM（Predictable Latency Mode）。不同的 NVM Set 使用的物理資源可以是獨立的，每個 NVM Set 可以包含多個 channel 多個 die，不同的 NVM Set 讀寫，擦除等都是相互獨立互不干擾，可以提供更好的 QoS 。
現在PCI-E 4.0固態硬碟主控只有群聯一家推出，所以大家能買到的PCI-E 4.0固態硬碟規格和性能方案都一樣，不過接下來Marvell要參戰了，Marvell推出了三款PCI-E 4.0 SSD主控，分別是88SS1321、88SS1322、88SS1323的新主控器，去年也有出新的SSD主控，不過在市場上沒看到它，不知道這三個新主控的命運會如何。
Marvell這三款主控使用三核Cortex R5內核，採12nm FFC製程生產，比群聯PS5016-E16主控的28nm工藝先進，所以發熱應該沒E16那麼大，不過Marvell對主流用戶端NVMe控制器的理念和別家廠不同，Marvell認為未來M.2 SSD會變得更小，M.2 2230這種尺寸會流行，而且四通道主控更適合主流消費市場，所以這三款主控皆是四通道。
英特爾官方在微博發文表示：“ 相比於SSD為什麼HDD用時間長了就很慢？因為HDD使用一段時間後會出現文件碎片，就像一個完整的文件被拆成了很多小拼圖，讀取時硬盤需要將拼圖復原，而 SSD 不僅可以通過磁盤整理將這些拼圖提前拼上，再次打開時就可以節省時間。”
即使 SSD 有數不盡的優點，例如讀取速度快、體積輕薄短小、使用時不會有震動或雜音、省電、較不怕晃動等，不過 SSD 在儲存容量上需要有預留空間用作 Over-Provisioning，所以 SSD 的實際容量並非 256GB、512GB 這樣的“整數”，而會是 120GB、240GB 這樣的數字。同時， SSD使用時不能用得太盡，若果容量用的太盡的話，SSD 有可能會出現讀寫性能下降的情況，因此一般最佳的使用方式是低於 80%。
另外， SSD 硬盤的壽命相比 HDD 短亦是最大的缺點，而 HDD 在故障前會有些徵兆，SSD 很多時候說壞就壞沒徵兆，若果真的壞了，現階段還沒有任何技術可以在不傷及資料的狀況下將資料完整修復，因此 SSD 硬碟一旦壞了就只能節哀順變，要記得養成定期資料備份的良好習慣。
一般SSD都主打高速讀取性能，會有抗震動和耐衝擊特性，不過Innodisk新推出Fire Shield系列SSD比較特別以抗高溫為賣點，官方表示在攝氏800°C高溫的情況下耐受最高達30分鐘，並維持100%完整的資料留存率。
今年Computex 2019中Innodisk發佈全新Fire Shield系列SSD產品，採3.5吋硬碟外型、SLC顆粒，提供8GB、16GB、32GB、64GB、128GB容量的選擇，最高連續讀寫速度為520MB/s和360MB/s，平均無故障時間300萬小時。
大家最常看到的 SSD 跑分軟體 CrystalDiskMark ，選購 SSD 看八個框框，分數越高就越好但你知道這幾個框框分別代表什麼意思嗎？
▲ 在進入本文前，與兩個常見的效能指標
循序 (Sequential )讀/寫
什麼是TRIM?
*TRIM是ATA資料集管理命令的一個屬性；TRIM功能允許磁碟機在背景下進行垃圾檔案的佔用空間回收，因而提高了SSD固態硬碟的相容性、耐用性和執行效能；此指令會自動清除不使用的資料儲存區塊，例如已刪除的檔案；詳細資訊請參考Intel官方的說明文件，瞭解TRIM的優勢以及如何將其Intel SSD一起使用。
如何開啟TRIM?
在AMD用7nm的三代Ryzen及X570晶片組上，PCIe 4.0是一項很重要的技術，高達32GB/s頻寬相比現在的PCIe 3.0是二倍，還有AMD新的RX 5000系列顯卡及群聯、慧榮主控的SSD硬碟將加入PCIe 4.0支援。
台北電腦展到現在PCIe 4.0主控的SSD硬碟已有七、八款，其中使用最多的是群聯的PCIe 4.0主控PSE5016-E16。群聯PS5016-E16採用28nm工藝製造，支持最新的96層3D TLC/QLC閃存、八個通道、最大容量8TB、集成第四代RAID ECC、LDPC糾錯引擎，擁有獨家專利的硬件加速器設計，理論讀寫速率最高各達到5GB/s、4.4GB/s。
SLC、MLC、TLC、QLC..等不同閃存規格一路走下來，雖然容量越來越大，但是性能、壽命、可靠性卻是越來越弱，只能通過其他方式彌補。就像之前很多人抗拒TLC一樣，現在依然有很多人不接受QLC，但大勢不可逆轉。
美光是最早大規模量產3D QLC閃存的廠商之一，而根據美光的最新說法，上季度用於固態硬盤的3D QLC閃存出貨量(折合為比特容量)環比大幅增長了75％。
目前，美光自家的消費級、企業級的NVMe、SATA固態硬盤，以及microSD存儲，都已經全面應用3D QLC閃存，同時美光還向其他固態硬盤廠商供應3D QLC。
SK海力士近日給出的數據顯示，TLC目前仍然佔據著NAND閃存市場的大約85％，但照這樣的趨勢下去，QLC很快就會取而代之成為主流。
大家都感覺到去年SSD價格下滑很多，其實自2018年以來容量1TB SSD單價已經下滑了50%，這有助於讓SSD的主流容量從256GB升到512GB甚至1TB。
Digitimes收到業內人士的消息，1TB SSD在2018年前的售價約為10000新台幣（約2200元人民幣），而到了2018年初只需8000新台幣，而現在只要4000到5000新台幣，甚至有可能下跌到3000新台幣（約660元人民幣），造成價格暴跌的原因是原料NAND閃存良率產能庫存量多導致價格大幅下滑。
儘管現在大部分電腦都用SSD，但由於桌機和手機市場需求不大，導致2019年第一季SSD價格會繼續下跌超過15%。
另外內存市場主流容量8GB和4GB DDR4內存模組價格已下滑到60美元~30美元左右，並且在今年第一季進一步下降，而且內存生產商將面臨巨大庫存壓力，但消費端市場多保持觀望態度，所以庫存不好出清。
PChome 24hr賣場消息：SSD殺很大！1TB級固態硬碟全面跌破3,500元，ADATA SU650 Ultimate SSD 960GB報價3,450元。
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