目前已知提高3D NAND閃存容量的方法主要是提高推疊層數和提高閃存容量、降低成本，就前者而言，今年有多家NAND公司已經開始量產96層推疊的3D閃存，而且最近三星還發布了136層推疊、256Gb（32GB）的第六代V-NAND TLC閃存，其他廠商應該也會跟進推疊層數，推出更新的產品。
另一個提高閃存容量、降低成本的方式主要是通過提高閃存cell單元的bit位元，所以在產品類別上有SLC、MLC、TLC和QLC閃存顆粒之分，它們每個單元分別可儲存1bit、2bit、3bit、4bit位元，主控則需控制2組、4組、8組、16組不同的電壓，結構越來越複雜，寫入性能和可靠性也在下降。
QLC閃存自問世以來，就很快的進入存儲裝置市場，而且產品的性能指標也很好，不過大部分消費QLC閃存的評價並不高，主要是沒有SLC快取和DRAM快取來提高性能，導致QLC閃存的原始寫入性能甚至連機械硬碟都不如；此外壽命也是一個大問題，目前主流的TLC固態硬碟能夠在常規使用下保持10年以上的壽命，而QLC的壽命就比較沒保障了，當然QLC的儲存容量夠大也能幫助改善壽命不夠長的問題。
而除了QLC閃存，壽命更短的PLC閃存也即將到來。在最近的2019 FMS國際閃存會議上，東芝以及WD就已經開始討論PLC閃存（Penta-level Cell簡稱PLC ），雖然還沒有表明實際的規格和性能，但應該會比QLC性能更差，更不耐用，不過以後固態硬碟的價格應該和容量也終於有機會跟上機械式硬碟了。
據外媒表示PLC閃存的容量比起QLC閃存多了25%，舉例來說就是同一顆SSD，使用QLC的容量是256GB，使用PLC的容量是320GB，意即廠商在不大幅更動的情況下，可以從單片晶圓獲得更多的容量，也就是每bit的生產成本下降了，所以終端消費產品的價格或是容量都有機會與機械硬碟看齊。
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