John pan

  為了進一步提高SSD容量及密度，三星日前正式宣佈開始生產業內首批100層V-NAND，是基於136層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代V-NAND ( 3bit，也就是 TLC ) 晶片，首款應用全新V NAND Flash的是250GB的SATA 3 SSD產品，預計性能比上代提升10%、功耗降低15%、生產效率提升20%，數據傳輸速度是現時業內最快。

  三星表示，100層V-NAND Flash使用“通道孔蝕刻”技術，新的V-NAND顆粒比之前的90+層堆疊結構增加約40%的層數，達到了136 層，同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面，可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其100層 (第 6 代) V-NAND Flash的寫入延遲低至450μs、讀取響應時間為45 μs，與上代90層V-NAND相比，100 層V-NAND不僅性能提升了10%，功耗還降低了15% 。

  值得一提的是，新產品生產步驟簡化的同時、晶片尺寸亦同時縮減，讓生產效率能夠提高 20%。

  三星還補充，今年下半年將增加產量，並使用512Gb 3-bit V-NAND Flash 來生產SSD及eUFS產品，以滿足各種規格的新需求。

  基於256Gb的3-bit V-NAND將用於企業級伺服器，三星還透露250GB SATA SSD已供應給一家電腦製造商，但三星並沒有透露客戶的名稱，至於消費級產品將會在不久後問世。同時，三星亦計劃下半年推出基於512Gb第六代的TLC SSD及UFS NAND Flash，以滿足更多客戶需求。

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