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  DDR4對DDR5缺口位置不同,DDR4和DDR5的防呆設計位置不一樣,使用Micron顆粒是DDR4,上面那支是DDR4下面是DDR5,記憶體採用先進製程,此製程也用在生產GDDR6顯存,DDR5記憶體功耗降低13%,還減少漏電率。那麼記憶體是單面還是雙面晶片設計,不一定看記憶體工廠設計。

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▼DDR5電壓量測點,1.1V工作電壓,內建電源管理晶片 (PMIC)協助調配記憶體模組各DRAM、暫存器、SPD 集線器所需電源,PMIC使用5V工作電壓。

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    john pan 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()