John pan

  Corsair最近說他們已經準備好DDR5記憶體，DDR5-6400在稍晚發布，官方文章也說明了DDR5與DDR4的差異。

  DDR5會有更快速度、電源效率以及更高的容量，儘管目前還沒有平台支援DDR5，但在年底Intel預告了新的12代處理器(Alder Lake-S)會支援DDR5記憶體。另外Intel也說DDR5剛推出可能價格上會遠高於DDR4，因此12代處理器(Alder Lake-S)也會支援 DDR4，讓卡板廠可以調整產品定位來因應消費需求。

宜鼎國際工業DDR5記憶體模組用於工控、高階運算市場第4季導入

  宜鼎國際發佈工業級DDR5記憶體模組，用在伺服器、資料中心、5G應用、物聯網等高階運算，最快第4季開始導入。

  隨著工業級DDR5推出，在市場進一步驗證新規格的可靠性、穩定性，滿足各樣工控嚴格要求。目前已對伺服器、資料中心、5G應用、物聯網等高階運算需求，尤其伺服器記憶體容量、頻寬擴充需求，新一代DDR5能提升人工智慧與數據中心的高效能運算（HPC）的工作負載。

  記憶體模組廠十銓科技(TEAMGROUP)宣布TEAMGROUP ELITE U-DIMM DDR5首波桌機記憶體正式出貨，預計全世界消費者6月底至7月中在各電商平台上搶先買到。

  自2020年底與原廠達成合作取得顆粒，不斷致力於DDR5記憶體研究與發展，同時與各主機板廠合作，每階段研發過程都完整通過測試，提供業界最好品質，領先業界宣布TEAMGROUP ELITE U-DIMM DDR5首款桌機記憶體正式出貨，預計全世界消費者6月底至7月中在各電商平台上搶先買到。

  首波TEAMGROUP ELITE DDR5記憶體，規格為雙通道包裝16GB X 2 4800MHz@1.1V CL40-40-40-77，符合JEDEC協會標準規格，與DDR4標準頻率上限3200MHz相比，提升50%速度；1.1V低電壓較前代DDR4更省電，同時記憶體本身為能讓雜訊干擾降至最低，將電源管理由主機板移到記憶體，配置了電源管理IC(PMIC)，有效控制系統電源負載。

  市調機構報告說，DDR5記憶體可能會是PC記憶體史上，最快完全普及的規格，DDR4出貨量超越DDR3用了大約2、3年時間，但 DDR5超越DDR4可能僅需一年時間， 2023年就會成為主流。

  以前每次有新記憶體標準上市，由於新品推出價格高和處理器搭配關係，記憶體換代都十分漫長，DDR2過渡至DDR3花了近4、5 年時間，DDR3到DDR4也快用了2、3年時間，出貨量才漸漸超越上代，但DDR5可能情況不一樣

  據了解， DDR5能迅速普及的原因，主要是Intel與AMD兩家競爭變得激烈，兩家同時在2022年同時導入DDR5記憶體技術，Intel 下代Alder Lake處理器與AMD下代Zen 4處理器均支援DDR5記憶體，因此2022年DDR5普及率已達25%。

  網友選購桌上型雙通道記憶體，一樣都是科賦(KLEVV)品牌，一組是科賦BOLT X 8G x 2 DDR4-3600和另一組是科賦BOLT X 8GB x 2 DDR4-3200，同品牌都是終身保固，價錢也差不多，該買那條阿？

科賦(KLEVV)BOLT X 8Gx2 DDR4-3600MHZ CL18-22-22-42 @1.35V
科賦(KLEVV)BOLT X 8Gx2 DDR4-3200MHZ CL16-18-18-38 @1.35V 

GDDR6X比不上？四顆HBM3做到2.66TB/s海力士單顆HBM3頻寬可達665GB/s
  DIY玩家多少對HBM記憶體都認識，AMD 2015年Fury系列顯示卡，首次出品一代HBM技術，超高頻寬、低佔用面積改變了當時顯示卡設計，隨後NVIDIA Tesla P100也用了HBM2技術，不過消費市場使用HBM2技術還是只有AMD RX Vega顯示卡，雖然HBM記憶體技術成本比GDDR昂貴，不過記憶體廠仍繼續研發更新HBM技術，以應付未來顯示卡對主流顯存更高容量、速度、頻寬、封裝大小需求。
  外媒最新報導，雖然JEDEC未正式公佈HBM3規範，但以往積極推HBM技術海力士(SK-Hynix)已開發下代HBM3 高速記憶體，接替目前升級版的HBM2e技術。

  DRAM供應商與OEM品牌套裝機工廠，目前正進行2021年第二季價格協商，盡管談判未完成，截至目前為止，DDR4 2666 1GB x 8記憶體與上一季相比已漲了25%，比預期的20%還要高，另外其他各種記憶體也是都在上漲，包括DDR3、DDR4、筆電、顯存、伺服器記憶體等，目前市調機構將2021年第二季記憶體價格漲幅評估從13-18%上漲至18-23%。

  2021年第二季PC使用的DRAM價格上漲超出預期，主要是OEM品牌套裝機廠商積極擴大生產。此外每年第二季一般是筆電生產旺季，估計第二季筆電產量增加7.9%。由於疫情持續，不少地區持續大規模存有遠距離教學和在家辦公情況，對筆電需求增加，也進一步擴大記憶體價格上漲。

  DDR4對DDR5缺口位置不同，DDR4和DDR5的防呆設計位置不一樣，使用Micron顆粒是DDR4，上面那支是DDR4下面是DDR5，記憶體採用先進製程，此製程也用在生產GDDR6顯存，DDR5記憶體功耗降低13%，還減少漏電率。那麼記憶體是單面還是雙面晶片設計，不一定看記憶體工廠設計。

SD Express(SD 7.0)攝影機記憶卡讀寫速度870MB/s 3月上市

  隨著影音拍攝進入8K時代，對記憶卡讀寫速度有更高要求，而CF Express Type B雖然高達1,700MB/s但售價高少數產品支援，推出好一些時日仍未普及，沿用多年的UHS-II SD卡雖然也有300 MB/s讀寫速度，但要應付未來8K拍攝需要仍不足。日前台灣 群聯宣佈推出全球首款SD Express ( SD 7.0) 卡，讀取速度870MB/s、寫入速度740MB/s，差不多是傳統UHS-II SD卡3倍。

三星公開512GB DDR5記憶體速度最高7200Mb/s大約年底上市

  三星宣佈已開發出業界第一，擁有512GB容量DDR5記憶體。這記憶體針對AI/ML、超級運算、分析、網路與其他數據密集型工作負載而設計。官方表示512GB DDR5記憶體將擴充其現有產品組合，提供有史以來最高容量。記憶體晶片採HKMG (High-K Metal Gate) 製程，而此製程也用於生產GDDR6顯存，能將記憶體模組的功耗降低13%，還減少漏電率。

  規格方面，三星512GB DDR5記憶體的效能是DDR4兩倍，速度達7200Mb/s，記憶體模組共有40顆記憶體晶片，都是8層16Gb DRAM，採製造不容易的TSV (Through-Silicon-Via，矽通孔)方式堆疊技術。

2021年3月17日金士頓DDR3記憶體漲價 
金士頓 NB 8GB DDR3L-1600 低電壓(KVR16LS11/8)(512*8), $1250↗$1680 
金士頓 NB 4GB DDR3L-1600 低電壓(KVR16LS11/4)(512*8), $650↗$880 

  近年來在半導體的研發一直是由台積電領先，而稍微比較跟得上的就只有三星了，不過三星的產品卻一直飽受質疑。而在IEEE ISSCC大會上，三星首先展示出採用3nm製程生產的晶片，這是一顆256Mb (32MB) 容量的SRAM存儲晶片，也是新製程量產的第一步。

  在三星的路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新製程，其它皆為升級改進型，包括11、8、6、5、4nm等。這次三星將在 3nm上第一次應用到GAAFET技術，再次實現了電晶體結構的突破，比現時FinFET 3D電晶體而言可算是大進步。

  目前主流是DDR4記憶體，還在舊電腦用DDR3記憶體的人要留意了，今年可能會上漲40~50%。

  消息說DDR3記憶體價格，在今年上會漲40~50%，主要原因是供不應求，預估2021年第一季DDR3價格會上漲20%，年內增幅會在40%~50%之間。

  DDR3價格上漲主要有兩個因素，一是2021年DDR3的需求增加，但三星和海力士已開始逐步淘汰DDR3，並且準備降低DDR3產能，因為DDR5記憶體將要上市，年內也會有支援平台，必須為生產DDR5做好準備，一些舊廠房已經更新設備，準備用來生產利潤更高的DDR5。

  據業界人士說，2021年記憶體會出現明顯的漲價，主要是SAMSUNG、SK Hynix與Micron記憶體三巨頭持續減產，加上PC需求持續升高，導致由去年12月至今記憶體顆粒價格累積漲幅已達30%。

  全球約有9成記憶體顆粒產能，掌握在SAMSUNG、SK Hynix及Micron三家手上，其中南韓佔了約75%佔比，對整體市場影響相當大，由於2019年記憶體顆粒價格因產能過盛而大跌，三大記憶體顆粒廠都在2020年開始減少記憶體顆粒投資，但2020年記憶體需求卻大幅上升，讓產能出現嚴重短缺。

  據瞭解，SAMSUNG與SK Hynix在2020年將投資重點，轉向晶圓代工及NAND Flash產品，SK Hynix在DRAM投資持平，但SAMSUNG則將部份DRAM產能轉為CIS，DRAM產能已下降不少。

  在消費性電子需求大爆發的情況下，2021 年記憶體報價預估最高大漲 30% 的情況下，國內記憶體廠包括南亞科、旺宏、華邦電後市看漲。法人看好其中南亞科因受惠消費型記憶體需求的提升，將帶動後續的營運表現。

  先前市場調查即研究單位集邦科技旗下半導體研究處出具報告指出，現階段 DRAM 市場庫存已進行超過 2 季的修正，客戶急於填補庫存空缺以補足 2021 年首季庫存的情況下，自 2020 年 12 月中開始，消費性 DRAM 的現貨價已逐漸反彈，而且在預估 2021 年第 1 季合約價將同步漲價下，預計 2021 全年報價調漲最高有機會來到 30%。

  而除了市場需求強勁之外，在供應面方面，受惠於先前華為在美國制裁禁令生效前的大舉進貨備庫存，導致市場供不應求而讓價格維持水準。再加上南韓大廠 SK 海力士、三星等淡出 DDR3 市場，因此市場供應量有限，又供貨主力轉移到台廠身上的情況下，也將為台系記憶體廠商帶來商機。

十銓首款消費16GB容量DDR5記憶體4800MHz起跳

  DDR5標準發布半年了，離產品上市越來越近。十銓(TEAMGROUP)宣布將是首款消費DDR5記憶體的公司之一，16GB DDR5-4800記憶體正在與板卡廠聯合測試驗證。十銓正在生產第一批DDR5，暫時產品規格16GB容量DDR5-4800、電壓1.1V。目前十銓正跟華碩、技嘉、微星、華擎等板卡廠合作提供樣品與開發部一起測試驗證，希望這合作能調整DDR5參數以加速開發。

  十銓還提到DDR5的優勢，除16GB單條容量更大外，消費者不用進入BIOS就可超頻，不需像DDR4那樣搞剛的超頻，安裝完DDR5就即能享受超高性能。

  美光（Micron）桃園廠區今天發生跳電事件，由於影響情況仍不明朗，市場關注這事件是否連帶造成動態隨機存取記憶體（DRAM）市況波動。

  美光表示，桃園廠區今天確實發生跳電事件，廠區即時啟動安全防護機制，目前確認所有員工均安全無虞，事件影響正調查確認中。

  據市調機構集邦科技統計，美光為全球第3大DRAM廠，第3季市占率約25%。美光桃園廠與台中廠為美光DRAM生產重鎮。

  因DRAM為寡占市場，美光與三星（Samsung）及SK海力士（Hynix）3大廠共囊括全球高達94%至95%的DRAM市場，在新增產能有限下，記憶體業者原預期，明年第1季可望達到供需平穩狀態。美光桃園廠發生跳電事件，市場關注是否連帶造成DRAM市況波動。

  不知道價格多少？提升幅度比想像中少一點，記憶體4400MHz現在就有了，如果DDR5 4800價格貴到跟DDR4高頻差不多那還真的沒買的必要？不過記憶體都是先卡先贏就是了，也不知道明年第三季買不買的到DDR5的主板？

  十銓(TeamGroup)表示將在2021年第三季初，推出速度高達4800-5200MHz的DDR5 16GB記憶體套裝產品

  十銓在新聞稿中宣布，它將在2021年第3季發布首款消費DDR5 Elite系列記憶體套裝。這些記憶體套裝擁有每個模組16GB容量，支援4800-5200MHz的額定速度。該記憶體將針對AMD和Intel的下代消費平台進行對應。

  據說十銓Elite系列DDR5記憶體套裝將於2021年第三季初發布。至於規格，DDR5套裝為每個模組提供16GB容量，速度高達4800-5200MHz，工作電壓1.1V。相當於頻率比DDR4標準提高60％，同時功耗降低10％（1.1V對1.2V）。

AMD Ryzen 5000系列處理器有更好超頻效能官方建議用DDR4-4000記憶體

  最近有AMD Ryzen 5000系列處理器超頻的介紹曝光，官方建議搭配DDR4-4000MHz來使用有最佳效能。

  簡報中可看到AMD Ryzen 5000系列處理器，關於總線時脈fclk、記憶體控制器時脈uclk和記憶體時脈mclk的關係是1:1:1，玩家可配時脈獲得最佳記憶體與系統效能。

韓記憶體海力士發佈全球第一條DDR5記憶體最高頻率5,600MHz單條最大容量256GB 

  韓國記憶體生產商海力士(SK Hynix)發佈全球第一款DDR5記憶體，在頻率、容量等技術都達到全新等級。

  這款剛發佈DDR5記憶體，首發用於伺服器、資料中心以RDIMM形態出現，基於1Ynm製程生產的16Gb顆粒，容量64GB，藉助 TSV矽穿孔技術，最高可達256GB。至於頻率方面以4,800MHz起步，最高5,600MHz，標準電壓1.1V，功耗降低了20％。