如大家所知，三星第一家以2D TLC製造推出TLC SSD的工廠，當時還沒發展3D TLC，因此SSD容量發展一直依靠縮小面積，例如Toshiba NAND 19nm -> A19 -> 15nm，而A19是把Width縮小，其實這是不利於Floating gate儲存電荷，這層不管面積大小，電荷存滿後電位都是一樣(材料物理特性無法突破)，所以縮小面積即表示用更少電子分佈有限電位，例如舊製程(25nm)用100顆電子切8等位(TLC 8階)，而新製程(14nm)只能存10顆電子卻一樣切8等位(8階)，製程愈小的NAND對SSD壽命和保存期限都是變相傷害，例如Intel 25nm造出MLC P/E可以到10K，後來1x nm做的MLC了不起3K，所以後來就沒再繼續做下去，改向3D垂直發展，這條路再做下去，做的東西不能用啊，3D TLC的Floating Gate面積大很多、所以不用擔心。
那三星2D TLC會發生什麼事？如上面所說，因為有限電子存量，隨便一顆電子跑掉就會造成資料判讀錯誤，例如原本存110，因為電子跑掉被判斷成111，到這裏也都沒關係，因為SSD有強大的ECC做備份(Backup)，ECC又可分為兩種，早期MLC時代，大多數只有設計BCH電路的方式硬解，速度快，就是糾錯能力差，1個Page錯幾個Bit都還沒問題，但超出他的糾錯能力時就有問題，糾錯原理以不是0就是1的概念完成。
TLC把電位分的太細了(MLC只有4階)，出錯比例大幅提升，所以BCH(BCH糾錯代碼，意指糾錯能力)很容易遇到無法搞定的案子，
因此三星率先採用LDPC ECC(BCH ECC糾錯演算法，意指糾錯能力)，它與BCH的差別，在於它是演算法糾錯，他也沒辦法100%完全分析，但分析成功機率很高，它的缺點是要花很多時間來糾錯，就會衍生出SSD速度變慢。
後來大家也都瞭解LDPC(BCH ECC糾錯演算法，意指糾錯能力)的速度是慢到無法忍受的，後來廠商就從SSD的韌體設計上來彌補，電子會跑掉是必然，只要你的要求不那麼高是可以用，就不保證電子不會熱穿隧(SSD資料遺失)，所以廠商開始在NAND上面每個Block標註時間，在電子流失到要啟用LDPC(糾錯演算法)之前趕緊把資料重寫(搬到另一個Block)，這樣消費者就不會那麼快遇到LDPC的慢速解碼(花很多時間來糾錯讓SSD速度變慢)，多數都靠BCH搞定。
如上所解釋、這也只是延遲時間而已，當NAND P/E快用完時，LDPC還是躲不掉資料遺失。
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