John pan

  台積電(TSMC)3nm製程建廠順利，第三季進入風險試產，順利的話，2022年大規模量產3nm晶片，台積電將在晶圓代工技術上保持領先優勢。

  無論台積電或是三星(SAMSUNG)，半導體製程都推向3nm，技術研發基本上已完成，剩下是產能和良率問題了，但2nm製程將會是 台積電的重大挑戰，因為三星提早在3nm製程中導入GAA環繞閘極工藝，台積電做法比較保守，選擇在2nm製程才導入GAA環繞閘極工藝，所以2nm對台積電來說，會是一次重要的技術世代。

  與5nm製程相比，台積電3nm的電晶體管密度提升70%，性能提升15% 或者功耗降低30%，表現相當出色。

  此外，台積電表示他們在EUV光源技術獲得突破，光源可達350瓦，未來可以用於1nm製程，早前更與國立台灣大學、美國麻省理工學院聯手合作成功研發出「二維材料」(2D atomic channels) 將會是取代「矽」的新興半導體，結合半金屬「鉍」後，「二維材料」能達至極低的電阻，甚至接近量子極限，將有助實現1nm或以下製程，作為未來半導體領域的新出路。

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